سامسونگ تولید تراشه 3 نانومتری با معماری GAA را آغاز کرد
Samsung Foundry اعلام کرد که تولید تراشه نیمه هادی 3 نانومتری با معماری GAA را در کارخانه‌ی هواسئونگ (Hwaseong) آغاز کرد. برخلاف چیپست‌های نسل قبلی که از فناوری FinnFET برخوردار هستند، این شرکت از معماری ترانزیستور GAA با مخفف Gate All Around استفاده کرده که به طور قابل توجهی مصرف بهینه‌ی انرژی را در چیپست بهبود می‌بخشد.
در معماری GAA از لایه‌های نازک یا ورق‌های نانو به نام MBCFET (ترانزیستور اثر میدان با چند پل و مخفف Multi-Bridge-channel FET) استفاده می‌شود. این روند موجب کاهش ولتاژ تغذیه‌ی کمتر، قابلیت جریان درایو بیشتر و بازدهی انرژی بهتر در تراشه 3 نانومتری می‌باشد. سامسونگ همچنین از این ترانزیستورهای نانو ورق در تراشه‌های نیمه هادی پردازنده‌ی گوشی‌های هوشمند رده بالا استفاده می‌کند.
برای مطالعه‌ی مقالات بیشتر در خصوص تکنولوژی، به لینک “دیجیتال مگ” مراجعه نمایید
معماری ترانزیستور GAA در چیپست‌های جدید، مصرف بهینه‌ی انرژی را بهبود می‌بخشند
فناوری نانو ورق در تراشه 3 نانومتری با معماری GAA چگونه است؟
فناوری نانو ورق در مقایسه با نانوسیم، کانال‌های وسیع‌تر، عملکرد بالاتر و کارایی بهتری دارند. همچنین می‌توان با تنظیم عرض نانو صفحه، میزان مصرف برق و عملکرد را بر اساس نیاز خود سفارش سازی کرد. در مقایسه با تراشه‌های 5 نانومتری، این تراشه‌ها دارای 23 درصد بهبود عملکرد، 45 درصد کاهش مصرف برق و 16 درصدی کاهش مساحت هستند. نسل دوم تراشه 3 نانومتری نیمه هادی با معماری GAA حدود 50 درصد بازده انرژی بهتر، 30 درصد عملکرد بیشتر و 35 درصد مساحت کمتر ارائه خواهند کرد. Samsung Foundry برای کمک به تولیدکنندگان در طراحی تراشه‌های بهتر و تایید طرح‌های آن‌ها، محیط طراحی پایداری را فراهم می‌کند. تولید کنندگان می‌توانند از طریق اکوسیستم ریخته گری پیشرفته سامسونگ (SAFE) از جمله Ansys, Siemens, Cadence و Synopsys زمان طراحی و تأیید تراشه‌ها و افزایش قابلیت اطمینان محصول را کاهش دهند.
دکتر سئونگ چوی رییس و سرپرست بازرگانی ریخته گری سامسونگ الکترونیکس گفت: سامسونگ به سرعت در حال پیشرفت است. زیرا ما همچنان به استفاده از فناوری‌های نسل آینده در تولیدهای خود به عنوان نخستین کمپانی، مانند اولین گیت فلزی با کیفیت بالا، ترانزیستور اثر میدان برجسته و لیتوگرافی فرابنفش شدید (EUV) ادامه خواهیم داد. همچنین می‌خواهیم به عنوان اولین کمپانی از تراشه 3 نانومتری جهان با ورق‌های نانوی MBCFETTM رونمایی کنیم. ما به نوآوری فعال در توسعه فناوری رقابتی و ایجاد فرآیندهایی که به تسریع بلوغ فناوری کمک می‌کند ادامه خواهیم داد.
منبع خبر: